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商品說明


創見 4G DDR3-1866 DDR3-1866 (ECC Unbuffer)

型號:TS512MLK72V8N

因應全球企業伺服器虛擬化的需求,創見DDR3-1866記憶體模組嚴選高品質DRAM晶片製成,並通過最嚴謹的實機測試,能百分百相容於Intel Romley-EP平台伺服器,搭載最新Intel? Xeon? E5-2600 v2系列處理器(代號為Ivy Bridge-EP),展現卓越的效能與耐久度。 每支DDR3-1866記憶體模組均採用1866MHz時脈頻率及13-13-13時序規格,工作電壓為1.5伏特;內建 ECC (Error Correction Code)自動錯誤校正功能,可自動偵測並修正錯誤,不僅降低系統因大量運算時產生誤差的風險,更確保資料傳輸的可靠性。

創見 DDR3桌上型電腦專用之盒裝記憶體模組採新式Fly-by電路架構設計,可使DRAM與控制器 (Controller)間的訊號傳輸更有效率;支援ODT(On-DIMM Termination)技術,可降低高速運作時記憶體訊號的回授,提高記憶體時脈的極限值。此外,其在佈線路徑、走線長度及電氣特性方面,均完全符合 JEDEC(the Joint Electron Device Engineering Council)的嚴格規範,可適用於嚴苛的工作環境,並避免雜訊干擾;搭載原廠之FBGA記憶體晶片,可提供絕佳的電氣特性及散熱性,大幅提昇系統的整體效能。

產品特色:

記憶體產品穩定耐用?高度相容性保證
100%嚴密測試
終身保固

勸敗
























商品規格
記憶體類型: DDR3 Memory
針腳及模組: 240Pin Long-DIMM
頻率: DDR3-1866MHz
功能: ECC Unbuffer
容量: 4GB
顆粒: 256Mx8 (bit)(單顆顆粒容量)
電壓: 1.5 V
CL值: 13
PS. 下標時請註明顏色,若無則隨機出貨
資料來源:創見

※商品圖檔顏色因電腦螢幕設定差異會略有不同,以實際商品顏色為準

※以上規格資料若有任何錯誤,以原廠所公佈資料為準。


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